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射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

隋妍萍 于广辉 孟胜 雷本亮 王笑龙 王新中 齐鸣

发光学报2006,Vol.27Issue(6):971-975,5.
发光学报2006,Vol.27Issue(6):971-975,5.

射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光

Photoluminescence Lines in Unintentionally Doped and Mg-doped GaN Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

隋妍萍 1于广辉 1孟胜 1雷本亮 1王笑龙 1王新中 1齐鸣1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
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摘要

关键词

分子束外延/Ⅲ/Ⅴ比/PL谱/黄带发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

隋妍萍,于广辉,孟胜,雷本亮,王笑龙,王新中,齐鸣..射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光[J].发光学报,2006,27(6):971-975,5.

基金项目

中法国际合作项目CNRS/ASC 2005(18152) (18152)

国家"863"计划(2002AA305304) (2002AA305304)

上海市自然科学基金(05ZR14139) (05ZR14139)

国际合作项目(055207043)资助项目 (055207043)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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