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离子束淀积方法制备GdSi2薄膜

李艳丽 陈诺夫 周剑平 宋书林 杨少延 刘志凯

半导体学报2004，Vol.25Issue(8)：972-975,4.
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半导体学报2004，Vol.25Issue(8)：972-975,4.

离子束淀积方法制备GdSi2薄膜

Fabrication of GdSi2 Films by Ion-Beam Deposition

李艳丽 1陈诺夫 1周剑平 2宋书林 1杨少延 1刘志凯1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 2. 中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080
  • 折叠

摘要

关键词

离子束淀积/X射线衍射/GdSi2

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李艳丽,陈诺夫,周剑平,宋书林,杨少延,刘志凯..离子束淀积方法制备GdSi2薄膜[J].半导体学报,2004,25(8):972-975,4.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60176001)及国家重大基础研究发展规划(批准号:G20000365,G2002CB311905)资助项目 （批准号:60176001）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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