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VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计

何进 王新 陈星弼

半导体学报Issue(11)：977,1.
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半导体学报Issue(11)：977,1.

VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计

何进 1王新 1陈星弼2

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子所
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摘要

关键词

VDMOS/场效应晶体管/掺杂/外延区/优化设计

分类

信息技术与安全科学

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何进,王新,陈星弼..VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计[J].半导体学报,1999,(11):977,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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