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一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计

王进军 王侠 史永胜 马颖

陕西科技大学学报(自然科学版)2009,Vol.27Issue(3):98-100,105,4.
陕西科技大学学报(自然科学版)2009,Vol.27Issue(3):98-100,105,4.

一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计

DESIGN A HIGH-PERFORMANCE THERMAL-SHUTDOWN CIRCUIT USED IN LDO

王进军 1王侠 1史永胜 1马颖1

作者信息

  • 1. 西安科技大学电气与控制工程学院,陕西,西安,710054
  • 折叠

摘要

关键词

LDO/过温保护/BiCMOS

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王进军,王侠,史永胜,马颖..一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计[J].陕西科技大学学报(自然科学版),2009,27(3):98-100,105,4.

基金项目

陕西科技大学2008校级自选科研项目(ZX08-23) (ZX08-23)

陕西科技大学学报(自然科学版)

OACSTPCD

2096-398X

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