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Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

刘俊 郑瑞伦 陈希明 董会宁

重庆大学学报(自然科学版)2004,Vol.27Issue(12):98-101,4.
重庆大学学报(自然科学版)2004,Vol.27Issue(12):98-101,4.

Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

Influence of Nb Concentration on ρ and Magnetoresistance of Nanometer NiFe Films

刘俊 1郑瑞伦 2陈希明 3董会宁1

作者信息

  • 1. 重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065
  • 2. 重庆大学,数理学院,重庆,400030
  • 3. 西南师范大学,物理学院,重庆,400715
  • 折叠

摘要

关键词

新种子层/Nb含量/零场电阻率/磁电阻

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘俊,郑瑞伦,陈希明,董会宁..Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响[J].重庆大学学报(自然科学版),2004,27(12):98-101,4.

基金项目

国家自然科学资金资助(10147207) (10147207)

重庆市科委技术项目(2003-6111) (2003-6111)

重庆邮电学院青年基金项目(A2004-11) (A2004-11)

重庆大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-582X

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