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一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量

王燕 于锡铃 殷绍唐

人工晶体学报2004,Vol.33Issue(6):982-986,5.
人工晶体学报2004,Vol.33Issue(6):982-986,5.

一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量

Measurements of the Interface Supersaturation of Lithium Formate Monohydrate Crystal Growth

王燕 1于锡铃 2殷绍唐3

作者信息

  • 1. 上海大学物理系,上海,200436
  • 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 3. 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
  • 折叠

摘要

关键词

一水甲酸锂晶体/边界层/界面过饱和度

分类

数理科学

引用本文复制引用

王燕,于锡铃,殷绍唐..一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量[J].人工晶体学报,2004,33(6):982-986,5.

基金项目

国家自然科学基金(No.59832080) (No.59832080)

上海市教委青年基金(No.214360)资助项目 (No.214360)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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