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低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究

李晓雷 陆昉 孙恒慧 黄庆红

物理学报Issue(6)：985-991,7.
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物理学报Issue(6)：985-991,7.

低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究

李晓雷 1陆昉 1孙恒慧 1黄庆红1

作者信息

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摘要

关键词

磷/离子注入/退火/硅/缺陷

分类

信息技术与安全科学

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李晓雷,陆昉,孙恒慧,黄庆红..低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究[J].物理学报,1992,(6):985-991,7.

物理学报

OA北大核心CSCD

1000-3290

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