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基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

刘帘曦 朱樟明 杨银堂 过伟 史斌

半导体学报2008，Vol.29Issue(5)：988-992,5.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(5)：988-992,5.

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

Design of an Integrated 20W X×Class-D Audio Power Amplifier in 0.8μm BCD Technology

刘帘曦 1朱樟明 2杨银堂 1过伟 2史斌1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071
  • 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

D类功率放大器/全桥/过流保护/轨-轨比较器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘帘曦,朱樟明,杨银堂,过伟,史斌..基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计[J].半导体学报,2008,29(5):988-992,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60476046,60676009)、教育部博士点基金(批准号:20050701015)和国家杰出青年科学基金(批准号:60725415)资助项且 （批准号:60476046,60676009）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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