半导体学报2004，Vol.25Issue(8)：991-994,4.
减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能
Improved Performance of InGaP/GaAs HBT with Small-Scaled Emitter
摘要
关键词
自对准工艺/减小发射极宽度/提高InGaP/GaAs HBT的性能分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
石瑞英,孙海峰,刘训春,袁志鹏,罗明雄,汪宁..减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能[J].半导体学报,2004,25(8):991-994,4.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200006830403) （批准号:G200006830403）
