物理学报2010，Vol.59Issue(3)：1964-1969,6.
镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究
Studies on the mechanisms of enhancing the performances of thyristors by Ga-Al doping
摘要
关键词
镓铝双质掺杂/机理/晶闸管/性能Key words
Ga-Al double-impurity doping/mechanism/thyristor/quality引用本文复制引用
王公堂,刘秀喜..镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究[J].物理学报,2010,59(3):1964-1969,6.基金项目
山东省自然科学基金(批准号:Y2003A01)资助的课题. （批准号:Y2003A01）
