物理学报2010，Vol.59Issue(3)：1970-1976,7.
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
The improvement on total ionizing dose(TID)effects of the ultra-deep submicron MOSFET featuring delta doping profiles
摘要
关键词
总剂量效应/超陡倒掺杂/泄漏电流/抗辐射加固Key words
TID effects/delta doping/leakage current/radiation hardeness引用本文复制引用
王思浩,鲁庆,王文华,安霞,黄如..超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善[J].物理学报,2010,59(3):1970-1976,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题. （批准号:60836004,60625403）
