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互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

何宝平 姚志斌

物理学报2010,Vol.59Issue(3):1985-1990,6.
物理学报2010,Vol.59Issue(3):1985-1990,6.

互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究

Research on prediction model of radiation effect for complementary metal oxide semiconductor devices at low dose rate irradiation in space environment

何宝平 1姚志斌1

作者信息

  • 1. 西北核技术研究所,西安,710613
  • 折叠

摘要

关键词

电离辐射/总剂量/低剂量率/预估方法

Key words

ionizing radiation/total dose/low dose rate/prediction method

引用本文复制引用

何宝平,姚志斌..互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究[J].物理学报,2010,59(3):1985-1990,6.

基金项目

国防预研基金(批准号:311060403)资助的课题. (批准号:311060403)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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