物理学报2010，Vol.59Issue(3)：2057-2063,7.
基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
Investigation on memory effect of MOS capacitors with Al_2O_3/Pt-nanocrystals/HfO_2
摘要
关键词
Pt纳米晶/快速热退火/原子层淀积/存储效应Key words
Pt nanocrystals/rapid thermal annealing/atomic-layer-deposition/memory effect引用本文复制引用
黄玥,苟鸿雁,廖忠伟,孙清清,张卫,丁士进..基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究[J].物理学报,2010,59(3):2057-2063,7.基金项目
国家高技术研究发展计划(863)新材料领域项目(批准号:2006AA03Z307),教育部科学技术研究重点项目(批准号:108052)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0127)资助的课题. （863）
