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不同检测电容结构对MEMS电容传感器性能的影响分析

董林玺 李寿洛 陈金丹 颜海霞 许立 王光义 孙玲玲

传感技术学报2010,Vol.23Issue(4):501-507,7.
传感技术学报2010,Vol.23Issue(4):501-507,7.

不同检测电容结构对MEMS电容传感器性能的影响分析

Effects of Different Structure of Sensing Capacitance on Performance of MEMS Capacitive Sensor

董林玺 1李寿洛 1陈金丹 1颜海霞 2许立 1王光义 1孙玲玲1

作者信息

  • 1. 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018
  • 2. 东芝水电设备有限公司,杭州,311504
  • 折叠

摘要

关键词

MEMS/微电容式惯性传感器/检测电容结构

Key words

MEMS/Micro capacitive inertial sensor/Structure of detecting capacitance

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

董林玺,李寿洛,陈金丹,颜海霞,许立,王光义,孙玲玲..不同检测电容结构对MEMS电容传感器性能的影响分析[J].传感技术学报,2010,23(4):501-507,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目资助(60506015) (60506015)

浙江省自然科学基金资助项目资助(Y107105) (Y107105)

传感技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-1699

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