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SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

杨银堂 刘莉

西南交通大学学报2010,Vol.45Issue(2):278-283,6.
西南交通大学学报2010,Vol.45Issue(2):278-283,6.DOI:10.3969/j.issn.0258-2724.2010.02.020

SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

SiC CMOS OPAMP High Temperature Model and Hspice Simulation

杨银堂 1刘莉1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071
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摘要

关键词

SiC/CMOS/OPAMP/高温模型/Hspice仿真

Key words

SiC CMOS OPAMP/high temperature model/Hspice simulation

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨银堂,刘莉..SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真[J].西南交通大学学报,2010,45(2):278-283,6.

基金项目

教育部重点科技项日(02074) (02074)

国家部委预研项目(41308060105) (41308060105)

西南交通大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-2724

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