强激光与粒子束2010，Vol.22Issue(3)：511-514,4.DOI:10.3788/HPLPB20102203.0511
11 kV大功率SiC光电导开关导通特性
On-state characteristics of an 11 kV high-power SiC photoconductive semiconductor switch
摘要
关键词
碳化硅/光电导开关/上升沿/导通电阻/大功率Key words
silicon carbide/photoconductive semiconductor switch/rising edge/on-state resistance/high power分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄维,常少辉,陈之战,施尔畏..11 kV大功率SiC光电导开关导通特性[J].强激光与粒子束,2010,22(3):511-514,4.基金项目
中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW-206) （KGCX2-YW-206）
