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不同形状的光斑触发砷化镓光导开关

袁建强 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 谢卫平 王新新 江伟华

强激光与粒子束2010,Vol.22Issue(3):557-560,4.
强激光与粒子束2010,Vol.22Issue(3):557-560,4.DOI:10.3788/HPLPB20102203.0557

不同形状的光斑触发砷化镓光导开关

GaAs photoconductive semiconductor switch triggered by laser spots with different profiles

袁建强 1刘宏伟 1刘金锋 1李洪涛 1谢卫平 1王新新 2江伟华2

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
  • 2. 清华大学,电机系,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

光导开关/光斑触发/光电导特性/砷化镓

Key words

photoconductive semiconductor switch/laser spot trigger/photoconductivity/gallium arsenide

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

袁建强,刘宏伟,刘金锋,李洪涛,谢卫平,王新新,江伟华..不同形状的光斑触发砷化镓光导开关[J].强激光与粒子束,2010,22(3):557-560,4.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(50837004) (50837004)

中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2008B0402037,2009B0402040) (2008B0402037,2009B0402040)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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