无机材料学报2010，Vol.25Issue(2)：177-180,4.DOI:10.3724/SP.J.1077.2010.00177
原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响
Effects of the Porosity of the Source Materials on the Initial Growth of 6H-SiC Crystal
摘要
关键词
碳化硅/生长速率/有限元Key words
silicon carbide/growth rate/finite element method分类
通用工业技术引用本文复制引用
刘熙,陈博源,陈之战,宋力昕,施尔畏..原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响[J].无机材料学报,2010,25(2):177-180,4.基金项目
国家863计划(2006AA03A146) （2006AA03A146）
中国科学院知识创新项目(KGCX2-YW-206) （KGCX2-YW-206）
上海市科学技术委员会项目(09DZ1141400,09520714900) （09DZ1141400,09520714900）
