宇航材料工艺2010，Vol.40Issue(1)：28-31,4.
氮化硅的氧化机制研究
Oxidation Mechanism Study of Silicon Nitride
陈思员 1姜贵庆 1俞继军 1欧东斌1
作者信息
- 1. 中国航天空气动力技术研究院,北京100074
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摘要
关键词
抗氧化/氮化硅/转捩温度Key words
Oxidation mechanism/Silicon nitride/Transition temperature引用本文复制引用
陈思员,姜贵庆,俞继军,欧东斌..氮化硅的氧化机制研究[J].宇航材料工艺,2010,40(1):28-31,4.
