基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模

徐申高海翔何晓莹孙伟锋

东南大学学报（自然科学版）2010，Vol.40Issue(1)：18-22,5.

东南大学学报（自然科学版）2010，Vol.40Issue(1)：18-22,5.DOI:10.3969/j.issn.1001-0505.2010.01.004

Modeling of power MOSFET for analysis of CdV/dt induced effects

徐申 ¹高海翔 ¹何晓莹 ¹孙伟锋¹

作者信息

功率MOS管/CdV/dt现象/建模/寄生参数

power MOSFET/CdV/dt induced effects/modeling/parasitic parameters

信息技术与安全科学

徐申,高海翔,何晓莹,孙伟锋..基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模[J].东南大学学报（自然科学版）,2010,40(1):18-22,5.

江苏省成果转化基金资助项目(BA2007018). （BA2007018）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-0505

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