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额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响

邓雪然 邓宏 韦敏 陈金菊

发光学报2010,Vol.31Issue(2):227-229,3.
发光学报2010,Vol.31Issue(2):227-229,3.

额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响

Effects of O2/Ar Ratio at Rated Pressure on Conductivity of Thin ZnO:Al Films

邓雪然 1邓宏 1韦敏 1陈金菊1

作者信息

  • 1. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
  • 折叠

摘要

关键词

射频磁控溅射/ZnO:Al(AZO)薄膜/O2/Ar比/导电性能

分类

数理科学

引用本文复制引用

邓雪然,邓宏,韦敏,陈金菊..额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响[J].发光学报,2010,31(2):227-229,3.

基金项目

国家自然科学基金(50802012)资助项目 (50802012)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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