信息与电子工程2010，Vol.8Issue(1)：91-95,5.
用SOI技术提高CMOS SRAM的抗单粒子翻转能力
Improve SRAM SEU resistance with SOI CMOS technology
赵凯 1高见头 2杨波 1李宁 2于芳 1刘忠立 2肖志强 1洪根深2
作者信息
- 1. 中国科学院,半导体研究所,北京,100083
- 2. 传感器技术国家重点实验室,北京,100190
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摘要
关键词
绝缘体上硅/静态随机存储器/抗单粒子翻转/设计加固分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵凯,高见头,杨波,李宁,于芳,刘忠立,肖志强,洪根深..用SOI技术提高CMOS SRAM的抗单粒子翻转能力[J].信息与电子工程,2010,8(1):91-95,5.
