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GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较

郭向阳 常本康 乔建良 王晓晖

红外技术2010,Vol.32Issue(2):117-120,4.
红外技术2010,Vol.32Issue(2):117-120,4.

GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较

Comparison of Stability of GaN and GaAs Photocathode

郭向阳 1常本康 1乔建良 1王晓晖1

作者信息

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094
  • 折叠

摘要

关键词

光电发射/GaN NEA光电阴极/稳定性/量子效率/表面结构

Key words

NEA/GaN/GaAs/stability/decay/double dipole layer structure

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭向阳,常本康,乔建良,王晓晖..GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较[J].红外技术,2010,32(2):117-120,4.

基金项目

国家自然科学基金项目,编号(60871012). (60871012)

红外技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-8891

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