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工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响

陆妩 郑玉展 任迪远 郭旗 余学峰

原子能科学技术2010，Vol.44Issue(1)：114-120,7.
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原子能科学技术2010，Vol.44Issue(1)：114-120,7.

工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响

Impact of Process Technologies on ELDRS of Bipolar Transistors

陆妩 1郑玉展 2任迪远 1郭旗 2余学峰3

作者信息

  • 1. 中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011
  • 3. 中国科学院,研究生院,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

双极晶体管/~(60)Coγ辐照/剂量率效应/发射极面积/掺杂浓度

Key words

bipolar transistors/~(60)Co γ irradiation/dose-rate effect/emitter area/doping concentration

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陆妩,郑玉展,任迪远,郭旗,余学峰..工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响[J].原子能科学技术,2010,44(1):114-120,7.

基金项目

模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(9140C090403070C09) （9140C090403070C09）

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

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