原子能科学技术2010，Vol.44Issue(1)：121-123,3.
64K CMOS 随机存储器瞬时辐射损伤模式分析
Damage Pattern of Transientγ-Radiation in 64K CMOS SRAM
王桂珍 1郭晓强 1李瑞斌 1白小燕 1杨善潮 1林东生 1龚建成1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
- 折叠
摘要
关键词
随机存储器/剂量率/翻转阈值/路轨塌陷Key words
SRAM/γ-dose rate/upset threshold/rail span collapse分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王桂珍,郭晓强,李瑞斌,白小燕,杨善潮,林东生,龚建成..64K CMOS 随机存储器瞬时辐射损伤模式分析[J].原子能科学技术,2010,44(1):121-123,3.
