强激光与粒子束2010，Vol.22Issue(2)：438-442,5.DOI:10.3788/HPLPB20102202.0438
外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响
Influence of exterior electric parameters on GaAs photoconductive semiconductor switch's turn-on process
摘要
关键词
砷化镓/光导开关/闭合时间/非线性模式Key words
GaAs/photoconductive semiconductor switch/closing time/nonlinear mode分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘宏伟,袁建强,刘金锋,李洪涛,谢卫平,江伟华..外电路参数对GaAs光导开关导通过程的影响[J].强激光与粒子束,2010,22(2):438-442,5.基金项目
国家自然科学基金项目(50837004) （50837004）
中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2008B0402037) （2008B0402037）
