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抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响

王科 康仁科 王军

金刚石与磨料磨具工程Issue(6):19-23,5.
金刚石与磨料磨具工程Issue(6):19-23,5.DOI:10.3969/j.issn.1006-852X.2009.06.005

抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响

Influence of abrasive and chemical composition on chemo-mechanical polishing of MgO single crystal substrate

王科 1康仁科 1王军2

作者信息

  • 1. 大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024
  • 2. School of Mechanical and Manufacturing Engineering, University of New South Wales,Sydney NSW 2052, Australia
  • 折叠

摘要

关键词

单晶MgO基片/化学机械抛光/材料去除率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王科,康仁科,王军..抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响[J].金刚石与磨料磨具工程,2009,(6):19-23,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(批准号:50475149),教育部科技研究重点项目(批准号:105053)和辽宁省科学技术计划项目(批准号:2004222001)资助项目. (批准号:50475149)

金刚石与磨料磨具工程

OA北大核心CSTPCD

1006-852X

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