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金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究

张良艳 林祖伦 祁康成 韦新颖

电子器件2010,Vol.33Issue(1):10-12,3.
电子器件2010,Vol.33Issue(1):10-12,3.

金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究

Study on Nickel-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films

张良艳 1林祖伦 1祁康成 1韦新颖1

作者信息

  • 1. 电子科技大学光电信息学院,成都,610054
  • 折叠

摘要

关键词

金属诱导晶化/非晶硅薄膜/多晶硅薄膜

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张良艳,林祖伦,祁康成,韦新颖..金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究[J].电子器件,2010,33(1):10-12,3.

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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