TCD132D线阵CCD总剂量效应的实验分析OACSTPCD
Analysis of Experiments on Total Dose Radiation Effects on TCD132D Linear CCD
研究了60Coγ辐照TCD132D线阵CCD的总剂量效应实验结果;分析了CCD受总剂量效应影响后暗信号和饱和输出电压的典型波形;得出了CCD分别在不加偏置电压、加偏置电压加驱动信号和加偏置电压不加驱动信号三种工作状态下,受60Coγ辐照后暗信号电压和饱和输出电压随总剂量累积的变化规律,并进行了损伤机理分析.
王祖军;张勇;唐本奇;肖志刚;黄绍艳;刘敏波;陈伟;刘以农
清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京,100084西北核技术研究所,西安,710024西北核技术研究所,西安,710024西北核技术研究所,西安,710024西北核技术研究所,西安,710024西北核技术研究所,西安,710024西北核技术研究所,西安,710024西北核技术研究所,西安,710024
化学化工
线阵CCD总剂量效应暗信号电压饱和输出电压辐照损伤机理
《电子器件》 2010 (1)
18-21,4
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