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强光致CCD过饱和效应机理分析

张震 程湘爱 姜宗福

强激光与粒子束2010,Vol.22Issue(2):233-237,5.
强激光与粒子束2010,Vol.22Issue(2):233-237,5.DOI:10.3788/HPLPB20102202.0233

强光致CCD过饱和效应机理分析

Mechanism analysis of CCD excessive saturation effect induced by intense light

张震 1程湘爱 1姜宗福1

作者信息

  • 1. 国防科学技术大学,光电科学与工程学院,长沙,410073
  • 折叠

摘要

关键词

图像传感器/CCD/过饱和效应/串扰/复位电平

Key words

imagine sensor/CCD/excessive saturation effect/crosstalk/feed-through level

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张震,程湘爱,姜宗福..强光致CCD过饱和效应机理分析[J].强激光与粒子束,2010,22(2):233-237,5.

基金项目

国防科技基础研究基金项目 ()

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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