电子器件2010，Vol.33Issue(4)：407-411,5.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.003
氮化硅薄膜的应力与性能控制
The Residual Stress Adjustment and the Properties Optimization of a-SiNx Films
摘要
关键词
残余应力/光学带隙/折射率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
周东,许向东,王志,王晓梅,蒋亚东..氮化硅薄膜的应力与性能控制[J].电子器件,2010,33(4):407-411,5.基金项目
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题资助(KFJJ200917) （KFJJ200917）
国家自然科学基金项目资助(60736005) （60736005）
