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SOI器件X射线与60Coγ射线总剂量效应比较

何玉娟 罗宏伟 恩云飞 张正选

电子器件2010,Vol.33Issue(4):416-419,4.
电子器件2010,Vol.33Issue(4):416-419,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.005

SOI器件X射线与60Coγ射线总剂量效应比较

Correlation between X-Ray and 60Coγ-Ray Total Dose Effect in SOI Devices

何玉娟 1罗宏伟 1恩云飞 1张正选2

作者信息

  • 1. 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室,广州,510610
  • 2. 中科院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
  • 折叠

摘要

关键词

可靠性/辐射/总剂量效应/X射线/γ射线

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

何玉娟,罗宏伟,恩云飞,张正选..SOI器件X射线与60Coγ射线总剂量效应比较[J].电子器件,2010,33(4):416-419,4.

基金项目

重点实验室基金项目资助(9140C030604070C0304) (9140C030604070C0304)

国家十一五预研项目资助(51323060401) (51323060401)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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