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应变Si PMOSFET电流特性研究

胡辉勇 崔晓英 张鹤鸣 宋建军 戴显英 宣荣喜

电子器件2010，Vol.33Issue(4)：438-441,4.
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电子器件2010，Vol.33Issue(4)：438-441,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.010

应变Si PMOSFET电流特性研究

Study on Strained Si PMOSFET Current Characteristic

胡辉勇 1崔晓英 1张鹤鸣 2宋建军 1戴显英 1宣荣喜1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071
  • 2. 中国电子科技集团第五研究所分析中心,广州,510610
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摘要

关键词

应变Si/PMOSFET/阈值电压/I-V特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

胡辉勇,崔晓英,张鹤鸣,宋建军,戴显英,宣荣喜..应变Si PMOSFET电流特性研究[J].电子器件,2010,33(4):438-441,4.

基金项目

国家部委资助项目(51308040203,6139801,72104089) （51308040203,6139801,72104089）

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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