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GaAs/InP键合电学性质的研究

何国荣 渠红伟 杨国华 郑婉华 陈良惠

量子电子学报2010，Vol.27Issue(4)：469-473,5.
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量子电子学报2010，Vol.27Issue(4)：469-473,5.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.015

GaAs/InP键合电学性质的研究

Electrical characteristics of bonded GaAs/InP

何国荣 1渠红伟 2杨国华 2郑婉华 2陈良惠2

作者信息

  • 1. 深圳信息职业技术学院电子通信技术系,广东,深圳,518029
  • 2. 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京100083
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摘要

关键词

材料/界面态密度/热电子发射/键合

分类

数理科学

引用本文复制引用

何国荣,渠红伟,杨国华,郑婉华,陈良惠..GaAs/InP键合电学性质的研究[J].量子电子学报,2010,27(4):469-473,5.

基金项目

国家自然科学基金(60837001)和信息学院青年自然科学基金(QN-08011)资助项目 （60837001）

量子电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-5461

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