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Cd:O共掺杂AlN的电子结构和P型特性研究

高小奇 郭志友 曹东兴 张宇飞 孙慧卿 邓贝

物理学报2010,Vol.59Issue(5):3418-3425,8.
物理学报2010,Vol.59Issue(5):3418-3425,8.

Cd:O共掺杂AlN的电子结构和P型特性研究

Study of the electronic structure and the properties of p-type doping in Cd:O codoped AlN

高小奇 1郭志友 1曹东兴 1张宇飞 1孙慧卿 1邓贝1

作者信息

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631
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摘要

关键词

Cd:O共掺杂/纤锌矿AlN/电子结构/p型掺杂特性

引用本文复制引用

高小奇,郭志友,曹东兴,张宇飞,孙慧卿,邓贝..Cd:O共掺杂AlN的电子结构和P型特性研究[J].物理学报,2010,59(5):3418-3425,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10674051,60877069),广东省科技攻关计划(批准号:2007A010500011,20088010200041)资助的课题. (批准号:10674051,60877069)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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