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钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响

陈进军 曹铃 宋学萍 孙兆奇

安徽大学学报(自然科学版)2010,Vol.34Issue(4):59-63,5.
安徽大学学报(自然科学版)2010,Vol.34Issue(4):59-63,5.

钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响

Effect of tantalum-doping on microstructure and electrical Properties of ZnO transparent conducting film

陈进军 1曹铃 2宋学萍 2孙兆奇3

作者信息

  • 1. 贵州大学,电气工程学院,贵州,贵阳,550003
  • 2. 安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039
  • 3. 安徽大学,光电信息获取与控制教育部重点实验室,安徽,合肥,230039
  • 折叠

摘要

关键词

Ta-ZnO 薄膜/射频磁控溅射/微结构/电阻率

分类

物理学

引用本文复制引用

陈进军,曹铃,宋学萍,孙兆奇..钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响[J].安徽大学学报(自然科学版),2010,34(4):59-63,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(50872001 ()

50642038) ()

教育部博士点专项基金资助项目(20060357003) (20060357003)

安徽省人才专项基金资助项目(2004Z029) (2004Z029)

贵州省科学技术基金项目资助项目([2009]2117) ([2009]2117)

安徽大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1000-2162

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