物理学报2010，Vol.59Issue(8)：5652-5660,9.
3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究
A first principle study on p-type doped 3C-SiC
摘要
关键词
SiC/电子结构/掺杂/第一性原理软件引用本文复制引用
张云,邵晓红,王治强..3C-SiC材料P型掺杂的第一性原理研究[J].物理学报,2010,59(8):5652-5660,9.基金项目
国家自然科学基金重点项目(批准号:No.20736002)资助的课题. （批准号:No.20736002）
