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10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计

陈准 冯军 王远卓

高技术通讯2010,Vol.20Issue(7):750-753,4.
高技术通讯2010,Vol.20Issue(7):750-753,4.DOI:10.3772/j.issn.1002-0470.2010.07.016

10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计

Design of a 10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS front-end amplifier using a pseudo-differential common-base input stage

陈准 1冯军 1王远卓1

作者信息

  • 1. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
  • 折叠

摘要

关键词

光纤通信/前置放大器/限幅放大器/Cherry-Hooper结构/0.35μm SiGe BiCMOS工艺/共基极

引用本文复制引用

陈准,冯军,王远卓..10Gb/s 0.35μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计[J].高技术通讯,2010,20(7):750-753,4.

基金项目

863计划(2006AA01Z284)资助项目. (2006AA01Z284)

高技术通讯

OA北大核心CSCDCSTPCD

1002-0470

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