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等离子体刻蚀工艺的优化研究

王晓光 朱晓明 尹延昭

中国新技术新产品Issue(14)：22,1.
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中国新技术新产品Issue(14)：22,1.

等离子体刻蚀工艺的优化研究

王晓光 1朱晓明 1尹延昭1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第四十九研究所,芯片与微系统工程中心,黑龙江,哈尔滨,150001
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摘要

关键词

等离子体/干法刻蚀/刻蚀速率/均匀性

引用本文复制引用

王晓光,朱晓明,尹延昭..等离子体刻蚀工艺的优化研究[J].中国新技术新产品,2010,(14):22,1.

中国新技术新产品

1673-9957

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