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组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

黄维 陈之战 陈义 施尔畏 张静玉 刘庆峰 刘茜

物理学报2010，Vol.59Issue(5)：3466-3472,7.
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物理学报2010，Vol.59Issue(5)：3466-3472,7.

组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响

Effect of Ni thickness on the contact properties of Ni/6H-SiCanalyzed by combinatorial method

黄维 1陈之战 2陈义 1施尔畏 1张静玉 1刘庆峰 3刘茜2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所宽禁带半导体材料课题组,上海,200050
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 3. 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/肖特基接触/欧姆接触/组合材料方法

引用本文复制引用

黄维,陈之战,陈义,施尔畏,张静玉,刘庆峰,刘茜..组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响[J].物理学报,2010,59(5):3466-3472,7.

基金项目

国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A146),中国科学院知识创新项目(批准号:KGCX2-YW-206) （批准号:2006AA03A146）

上海市科学技术委员会(批准号:09DZ1141400,09520714900)和高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金(批准号:SKL200810SIC)资助的课题. （批准号:09DZ1141400,09520714900）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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