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非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

程萍张玉明张义门王悦湖郭辉

物理学报2010，Vol.59Issue(5)：3542-3546,5.

Stability of the intrinsic defects in unintentionally doped 4H-SiC epitaxial layer

程萍 ¹张玉明 ¹张义门 ¹王悦湖 ¹郭辉¹

作者信息

高温退火/本征缺陷/电子顺磁共振谱/光致发光

程萍,张玉明,张义门,王悦湖,郭辉..非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性[J].物理学报,2010,59(5):3542-3546,5.

国家自然科学基金(批准号:60876061),预研基金(批准号:9140A08050508),和陕西13115创新工程(批准号:2008ZDKG-30)资助的课题. （批准号:60876061）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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