人工晶体学报2010，Vol.39Issue(4)：895-899,5.
裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响
Influence of Crack on Stress State of GaN Based LED on Si Substrates
摘要
关键词
Si衬底/InGaN/GaN/LED/裂纹/应力分类
数理科学引用本文复制引用
肖宗湖,张萌,熊传兵,江风益,王光绪,熊贻婧,汪延明..裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响[J].人工晶体学报,2010,39(4):895-899,5.基金项目
教育部长江学者与创新团队发展计划资助(IRT0730) （IRT0730）
