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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

黄海宾 沈鸿烈 唐正霞 吴天如 张磊

人工晶体学报2010,Vol.39Issue(3):603-607,5.
人工晶体学报2010,Vol.39Issue(3):603-607,5.

热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

Low Temperature Epitaxial Growth of Si and Ge Films on c-Si Substrate by Hot-wire CVD

黄海宾 1沈鸿烈 1唐正霞 1吴天如 1张磊1

作者信息

  • 1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211100
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摘要

关键词

热丝CVD/低温外延/单晶Si衬底/Si膜/Ge膜

分类

数理科学

引用本文复制引用

黄海宾,沈鸿烈,唐正霞,吴天如,张磊..热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究[J].人工晶体学报,2010,39(3):603-607,5.

基金项目

国家"863"课题(2006AA03Z219) (2006AA03Z219)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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