人工晶体学报2010,Vol.39Issue(3):603-607,5.
热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究
Low Temperature Epitaxial Growth of Si and Ge Films on c-Si Substrate by Hot-wire CVD
摘要
关键词
热丝CVD/低温外延/单晶Si衬底/Si膜/Ge膜分类
数理科学引用本文复制引用
黄海宾,沈鸿烈,唐正霞,吴天如,张磊..热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究[J].人工晶体学报,2010,39(3):603-607,5.基金项目
国家"863"课题(2006AA03Z219) (2006AA03Z219)