物理学报2010，Vol.59Issue(9)：6563-6568,6.
相变存储材料Ge1 Sb2 Te4和Ge2 Sb2 Te5薄膜的结构和电学特性研究
Study of structural and electrical properties of phase-change materials Ge1 Sb2 Te4 and Ge2 Sb2 Te5 thin films
摘要
关键词
硫系相变材料/Ge1Sb2Te4/Ge2Sb2Te5引用本文复制引用
廖远宝,徐岭,杨菲,刘文强,刘东,徐骏,马忠元,陈坤基..相变存储材料Ge1 Sb2 Te4和Ge2 Sb2 Te5薄膜的结构和电学特性研究[J].物理学报,2010,59(9):6563-6568,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60976001和50872051),江苏省自然科学基金(批准号:BK2008253),国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB935401和2010CB934402)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20090091110010)资助的课题. （批准号:60976001和50872051）
