强激光与粒子束2010，Vol.22Issue(7)：1665-1667,3.DOI:10.3788/HP1PB20102207.1665
InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1 054 nm激光器中的应用
Application of strained InGaAs/GaAs quantum-well to laser emitting at 1 054 nm
摘要
关键词
金属有机物/化学气相淀积/应变量子阱/半导体激光器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘安平,韩伟峰,黄茂,罗庆春..InGaAs/GaAs应变量子阱结构在1 054 nm激光器中的应用[J].强激光与粒子束,2010,22(7):1665-1667,3.基金项目
中央高校基本科研业务费资金资助课题(CDJRC10100003) （CDJRC10100003）
