人工晶体学报2010，Vol.39Issue(4)：1014-1018,5.
La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响
Effect of La and Nb Doping on Dielectric Properties and C-V Characteristics of Bi4Ti3O12 Thin Films
摘要
关键词
Bi4Ti3O12薄膜/介电性能/漏电流/C-V特性分类
数理科学引用本文复制引用
冯湘,王华..La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响[J].人工晶体学报,2010,39(4):1014-1018,5.基金项目
教育部科学技术研究重点项目(No.208109) （No.208109）
广西自然科学基金资助项目(桂科自0832247) （桂科自0832247）
