人工晶体学报2010，Vol.39Issue(4)：1055-1059,5.
SiC单晶片ELID超精密磨削氧化膜特性研究
Research on Oxide Layer Characteristics in ELID Pre-dressing Process of SiC Single Crystal Slice
摘要
关键词
SiC单晶片/ELID磨削/氧化膜/占空比/电解电压分类
化学化工引用本文复制引用
肖强,李言,朱育权..SiC单晶片ELID超精密磨削氧化膜特性研究[J].人工晶体学报,2010,39(4):1055-1059,5.基金项目
陕西省重点实验室建设基金项目资助(No.09JS099) （No.09JS099）
