原子能科学技术2010，Vol.44Issue(5)：603-607,5.
电荷耦合器件的60Coγ射线辐照损伤退火效应
Annealing Effects of Charge Coupled Devices After 60Co γ Irradiation
李鹏伟 1郭旗 2任迪远 1于跃 1兰博 1李茂顺2
作者信息
- 1. 中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
- 2. 中国科学院,研究生院,北京,100049
- 折叠
摘要
关键词
商用CCD/氧化物电荷/界面态/退火效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李鹏伟,郭旗,任迪远,于跃,兰博,李茂顺..电荷耦合器件的60Coγ射线辐照损伤退火效应[J].原子能科学技术,2010,44(5):603-607,5.
