高技术通讯2010，Vol.20Issue(6)：632-636,5.DOI:10.3772/j.issn.1002-0470.2010.06.015
肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
Research on a device model for Schottky gate resonant tunneling transistors
摘要
关键词
共振隧穿三极管(RTT)/器件模型/肖特基接触引用本文复制引用
宋瑞良,毛陆虹,郭维廉,谢生,齐海涛,张世林,梁惠来..肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究[J].高技术通讯,2010,20(6):632-636,5.基金项目
973计划(2002CB311905)资助项目 （2002CB311905）
