人工晶体学报2010，Vol.39Issue(5)：1206-1210,5.
Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
Effects of Mg Doping Content and Annealing Temperature on Structure and Properties of MgxZn1-xO:Al UV-transparent Conducting Thin Films
摘要
关键词
MgxZn1-xO:Al/紫外透明导电薄膜/Mg掺杂/光电性能分类
数理科学引用本文复制引用
王华,黄竹,许积文,杨玲..Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响[J].人工晶体学报,2010,39(5):1206-1210,5.基金项目
广西教育厅科研项目(No.200734) （No.200734）
